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#Produkttrends
{{{sourceTextContent.title}}}
Neue hohe Leistung GaN Amplifier mit der breiten Frequenz-Band-Strecke angekündigt durch Pasternack
{{{sourceTextContent.subTitle}}}
Pasternack startet hohe Leistung GaN Amplifier an 100W sättigte Ertrag in 0,7 bis 2,7 Gigahertz Strecken-
{{{sourceTextContent.description}}}
Neuer GaN-Verstärker Pasternack Rf-hoher Leistung mit breiter Frequenzbandstrecke kündigte an. Dieser neue GaN-Verstärker der hohen Leistung für Rf kann über einer breiten Palette von Anwendungen benutzt werden. Hochfrequenzanwendungen für diesen Festkörperendverstärker des neuen Gallium-Nitrids einschließlich elektronische Kriegsführung, Radar, Kommunikationen und Test und Maß.
GaN PE15A5033F-hoher Leistung Rf Ampere erzeugt typische gesättigte Spitzenleistung 100W über einem breiten Frequenzbereich, der 0,7 bis 2,7 Gigahertz umfasst. Dieser Verstärkerentwurf der Klasse A/AB ist unbedingt stabil und verwendet in hohem Grade leistungsfähige GaN-Technologie für überlegene lineare Leistung. Der Koaxial-Endverstärker Rfs GaN stützt eine Vielzahl von Eingangssignalformaten einschließlich CW, morgens, FM, P.M., und Impuls mit Energie zusätzlicher Leistungsfähigkeit (PAE) von typischem 30%.
Zusätzliche Schlüsselleistungseigenschaften dieses Rf-MikrowellenEndverstärkers der hohen Leistung umfassen minimalen differenziellen Gewinn DBs 45, +/- typische Gewinnflachheit @ Psat DBs 1,5 und eines eindrucksvollen harmonischen Unterdrückungsniveaus des typischen dBc -20. Um in hohem Grade zuverlässiges thermisches Management sicherzustellen, enthält das Modul GaN SSPA einen Kühlkörper und einen Ventilator der eine optimale Grundplattentemperatur von 0°C zu +50°C beibehält, mit Abschaltautomatikfähigkeit an 85°C. Die Festzustand GaN-Endverstärker-Paketmontageträger SMA-weiblichen Rf-Verbindungsstücke an den Input- und Ausgabebausteinen und ein D-Vorverbindungsstück mit Kontrollfunktionen, die +30 VDC Neigung, gegenwärtige Überwachung und TTL-Logikstanzen umfassen. Ein anderer Primärvorteil dieses Festkörperhf-verstärkers GaN ist seine schroffe Entwurfsplattform, die zum Widerstehen von rauen Umweltbedingungen einschließlich Feuchtigkeit, Höhe, Schock und Erschütterung fähig ist.