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#White Papers
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Rückseiten-Plasma-Schaden-Verkleinerung
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Eine integrierte Schaltung bildete sich durch ein Substrat, das mindestens ein Pixel stützt
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Str. und Intendantur ein L'energie Atomique und ZusatzRückseiteablichtungsbild-Sensor der energie-Alternativpatentanfrage „mit niedrigem Dunkelstrom“ durch Jean-Pierre Carrere, Patrick Gros D'aillon, Stephane Allegret-Maret und Jean-Pierre Oddou schlägt eine zusätzliche leitende Schicht auf der BSI-Bild-Sensor-Rückseite vor, um die Rückseite des Toners von Plasma verarbeiten-eingeführten Defekten auszusortieren:
„Die Verminderung kommt von den Plasma-gegründeten Behandlungen, die während der Behandlungen der Rückseite des Sensors, besonders für die Formung der metallischen Kontaktauflagen der Rückseite, des Aluminiums zum Beispiel und für die Formung der Schicht verwendet werden, welche die farbigen Filter schützt, die darauf abzielt, diese Filter während des Schneidens der Sensoren nach den schneidenen Grundsätzen des Halbleiterplättchens zu schützen.
Genau, lädt das Plasma den Silikon Oxidsilikon Nitridstapel auf, der ein Abfangen der positiven Gebühren (Löcher) auslöst in der Anti-reflektierenden Silikonnitridschicht, Löcher, die dann zur Schnittstelle mit dem Substrat abwandern, um einen Dunkelstrom durch Rekombination mit Elektronen zu verursachen. „
Um den Dunkelstrom zu verringern, schlägt die Anwendung vor: „eine zusätzliche Schicht aufgestellt über der Anti-reflektierenden Schicht und dem Einschließen mindestens eines untereren Teils, der hydriertes formloses Silikon enthält (ein-Si: H) oder hydriertes formloses Silikonnitrid (a-SiNx: H), in dem das Si/N Verhältnis der Zahl Silikonatomen pro Kubikzentimeter zur Zahl Stickstoffatomen pro Kubikzentimeter größer als 0.7 ist, und vorzugsweise größeres als oder Gleichgestelltes bis 1.2.
Die Funktion dieser zusätzlichen Schicht ist, ultraviolette Strahlung, und/oder die aufgefangenen Gebühren in der Anti-reflektierenden Schicht während der folgenden Plasmabehandlungen zu evakuieren aufzusaugen oder sogar zu stoppen, die folglich die residuell positiven Gebühren verringern, die vielleicht in der Anti-reflektierenden Schicht eingeschlossen werden und infolgedessen den Dunkelstrom verringern.
Die Stärke dieses untereren Teils der zusätzlichen Schicht ist vorzugsweise kleiner als einige 10 Nanometer, z.B. hundert Nanometer oder sogar weniger als 10 Nanometer. „