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1.200-V-Gen3-SiC-MOSFET-Module erhöhen die Zuverlässigkeit und senken den Einschaltwiderstand

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Die SOT-227-SiC-Leistungsmodule von SemiQ, die bis über 1.400 V getestet wurden, sind für Batterieladegeräte, Photovoltaik-Wechselrichter, Server-Netzteile und Energiespeichersysteme bestimmt.

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SemiQ Inc. hat seine Familie von 1.200-V-Gen3-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) um fünf SOT-227-Module erweitert, die Durchlasswiderstände (RDS(on)) von 7,4, 14,5 und 34 mΩ bieten. Die GCMS-Module, die mit Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) ausgestattet sind, haben geringere Schaltverluste bei hohen Temperaturen. Sie zielen auf Mittelspannungsanwendungen mit hoher Leistungsumwandlung ab, darunter Batterieladegeräte, Photovoltaik-Wechselrichter, Server-Netzteile und Energiespeichersysteme.

Alle Bauteile wurden entwickelt, um die Leistung und Schaltgeschwindigkeit zu verbessern und gleichzeitig die Verluste zu minimieren. Sie werden auf Wafer-Ebene in Gate-Oxid-Burn-in-Tests mit mehr als 1.400 V geprüft und sind auf 800 mJ (330 mJ für 34-mΩ-Module) avalanche-getestet. Das 7,4-mΩ-GCMX007C120S1-E1 reduziert die Schaltverluste auf 4,66 mJ (3,72 mJ beim Einschalten, 0,94 mJ beim Ausschalten) und hat eine Body-Diode-Reverse-Recovery-Ladung von 593 nC.

Die SOT-227-Module sind robust, einfach zu montieren und verfügen über eine isolierte Rückwand sowie über direkte Befestigungsmöglichkeiten für einen Kühlkörper. Der Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse reicht von 0,23°C/W für das 7,4-mΩ-MOSFET-Modul bis 0,70°C/W für das 34-mΩ-MOSFET-Modul.