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Gallium-Nitrid-Energien-Halbleiter haben das Oberteil-Abkühlen

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GaN Systems Inc. verkündete abkühlende Technologie des neuen Oberteils in seiner großen Auswahl der starken Verbesserungmodus Vorrichtungen

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Das Oberteilabkühlen ermöglicht Ingenieuren, die herkömmlichen, gut-verstandenen PWB-abkühlenden Techniken, wenn es Markt-führende Halbleiter der GaN Systeme in ihre spätesten Entwürfe für Produkte wie Inverter enthält, UPS, hybride elektrische Träger/elektrische Träger, Hochspannungs-DC-DC Umwandlung und Konsumgüter wie Fernsehapparate zu benutzen.

Galliumnitrid-Energientransistoren der GaN Systeme basieren auf seiner eigenen Insel Technology® - der Würfel bestehen aus Inseln eher, als traditionelle Finger, der bedeutende Vorteile in der besseren gegenwärtigen Behandlung, niedrigerer Induktanz, Skalierung, Lokalisierung und thermischem Management ausgedrückt holt, sowie das Ermöglichen kleiner und die Senkung von Kosten sterben. Vorrichtungen Verbesserungmodus der GaN Systeme mit den gegenwärtigen Bewertungen, die von 8A zu 250A reichen, werden in seinem eigenen GaNPX Verpacken geliefert: der Würfel wird innerhalb eines lamellenförmig angeordneten Aufbaus eingebettet und eine Reihe galvanische Prozesse ersetzen herkömmliche Techniken wie Klipps, Drahtbindungen und formenmittel. Diese nahen-chipscale Leistungsschaltungstransistoren werden jetzt verpackt, über den Oberteil des Spanes unter Verwendung eines Kühlkörpers oder eines Ventilators abgekühlt zu werden - herkömmliche Techniken, die gut-verstanden werden und des Vertrauten zu den Konstrukteuren, die mit GaN Vorrichtungen zum ersten Mal verwenden oder sie verwenden nicht vertraut sein können.

GaN Transistoren können von der Grundfläche des Würfels durch Übertragung zum PWB auch abgekühlt werden.