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Monolithische Gallium-Nitrid-Energien-Transistor-halbe Brücke

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EPC verkündet das EPC2102, 60 V und das EPC2103, 80 halbe Brücken V Verbesserungmodus des monolithischen GaN Transistors

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Indem man zwei eGaN® Energie FETs in ein Einzelgeräte integriert, werden Verknüpfungsinduktanzen und der zwischenräumliche Raum, der auf dem PWB benötigt wird, mit dem Ergebnis einer 50% Verkleinerung im Brettbereich beseitigt, der durch die Transistoren besetzt wird. Dieses erhöht Leistungsfähigkeit (besonders bei höheren Frequenzen) und Energiedichte, bei der Verringerung von Montagekosten auf dem Energien-Umwandlungssystem des Endbenutzers. Die halben Brücken sind für Hochfrequenz-DC-DC Umwandlung ideal.

Unter Verwendung eines EPC2103 in einem typischen Dollarkonverter, ist Systems-Leistungsfähigkeit größer als 97% bei 20 A, beim Schalten bei 500 kHz und Umwandlung von 48 V bis 12 V. Eine zweite Vorrichtung, die EPC2102 60 V halbe Brücke wird auch der Mappe hinzugefügt. Diese Vorrichtung erzielt 98% Systems-Leistungsfähigkeit bei 18 A, beim Schalten bei 500 kHz und Umwandlung von 42 V bis 14 V.

Beide Produkte kommen in Span-einstufen Paket für verbesserte Schaltungsgeschwindigkeit und thermische Leistung und sind nur 6.05 Millimeter x 2.3 Millimeter für erhöhte Energiedichte.

Die EPC9038 und die EPC9039 sind 2 " x 2 " (50.8 Millimeter x 50.8 Millimeter) und jedes enthält ein EPC2102 oder EPC2103 integrierten Hälftebrücke Bestandteil, beziehungsweise. Beide Bretter benutzen den Gatterfahrer Texas- InstrumentsLM5113 und haben Bord-Versorgungsmaterial- und Überbrückungskondensatoren. Die Bretter sind für optimale Schaltungsleistung ausgebreitet worden und verschiedene Prüfspitzenpunkte umfassen, um einfache Wellenformmaß- und -leistungsfähigkeits-Berechnung zu erleichtern.

· Die monolithischen Hälftebrücken EPC2102 sind $6.85 je für Maßeinheiten 1K.

· Die monolithischen Hälftebrücken EPC2103 sind $7.58 je für Maßeinheiten 1K.

· Die Bretter der Entwicklung EPC9038 und EPC9039 sind $137.75 je.