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20 V Chipscale MOSFET spart Raum, verlängert Batterie-Verbrauch

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Vishay Intertechnology, Inc. führte einen neuen TrenchFET® 20 V N-channel MOSFET ein, der entworfen war, um Raum, Abnahme-Leistungsaufnahme zu sparen und verlängert Batterieverbrauch in den tragbaren Vorrichtungen, in den smartphones, in den Tabletten und in den Festkörper-Antrieben

{{{sourceTextContent.description}}}

Angeboten in einem chipscale MIKROFOOT® Paket mit einer ultra-low 0.54 Millimeter-maximalen Höhe, stellt das Vishay Siliconix Si8410DB den niedrigsten Aufwiderstand der Industrie für jede mögliche 20 v-Vorrichtung im Vertrag ein 1 Millimeter-quadratischer Abdruck zur Verfügung.

Extrem optimiert für Gebrauch als Lastsschalter, differenzieller Schalter und Hochgeschwindigkeitsschalter in den Energienmanagementanwendungen, die Si8410DB Eigenschaften - niedriger Aufwiderstand von 37 mW bei 4.5 V, von 41 mW bei 2.5 V, von 47 mW bei 1.8 V und von 68 mW bei 1.5 V. verglich mit den nähsten konkurrierenden Vorrichtungen im CSP ein 1 Millimeter-quadratisches Paket, stellen diese Bewertungen eine Verbesserung von 26% bei 4.5 V, 32% bei 2.5 V, 35% bei 1.8 V dar, und 27% bei 1.5 V. verglichen mit Vorrichtungen im DFN ein 1 Millimeter-quadratisches Paket, Aufwiderstand ist 32% niedriger bei 4.5 V, 40% niedriger bei 2.5 V, 48% niedriger bei 1.8 V und 43% niedriger bei 1.5 V. Der niedrige der Aufwiderstand, die Bewertungen unten zu 1.5 V und das ± 8 VGS Vorrichtung stellen eine Kombination der Sicherheitsspanne, der Gatter-Antriebsentwurfsflexibilität und des Hochleistungs- für Lithiumionenbatteriebetriebene Anwendungen zur Verfügung.

Das Si8410DB bietet ein extrem - niedriger Aufwiderstand pro Bereich des Quadrats 30 MWmillimeter - 28% an, das als der nähste konkurrierende 20 V MOSFET in einem 1 Millimeter-quadratischen Plastikpaket - zum Sicherungsraum niedriger ist und verringert Batterieleistungverbrauch in den beweglichen Anwendungen. Der niedrige Aufwiderstand der Vorrichtung bedeutet einen sehr Niederspannungstropfen am DC-und des Impulses Spitzenstrom, also wird weniger Energie als Hitze vergeudet. Die Kombination des niedrigeren Aufwiderstands und senken Resultate des thermischen Widerstands im bis 45% und 144% Aufstieg der niedrigeren Temperatur als die next-best Vorrichtungen in CSP und in den 1 Millimeter-quadratischen Paketen, beziehungsweise.

Proben und Produktquantitäten des Si8410DB sind jetzt, mit Vorbereitungs- und Anlaufzeiten von 13 Wochen für größere Aufträge vorhanden. Preiskalkulation für nur US-Anlieferung ist-- $0.22 pro Stück in den Quantitäten mit 100.000 Stücken.