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#Produkttrends
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N-Channel40/60 V MOSFETs verringern Verluste auf Zunahme-Leistungsfähigkeit.
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AUF Halbleiter stellt eine komplette Reihe neue mittlere SpannungN-ChannelMOSFETs vor
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Optimiert für die Verringerung von Schaltungs-, Übertragungs- u. FahrerLeistungsabfällen, um Leistungsfähigkeit aufzuladen
PCIM - Nürnberg, Deutschland. ? AUF Halbleiter (Nasdaq: AUF), hat das Fahren der Energieeffizienzinnovationen, weiter seine ausgedehnte Mappe von Energie MOSFETs mit neue, hohe Leistungsfähigkeit den einzelnen N-channelvorrichtungen erweitert, die auf Datennetzwerkanschluß abgezielt werden, Telekommunikation und industriellen Anwendungen.
Diese Vorrichtungen sind zu unglaublich niedrig liefern auf Zustandwiderstand, RDS (an), Werten, dadurch herabsetzenübertragungsverlusten und dem Verbessern der Gesamtbetriebs-Leistungsfähigkeits-Niveaus fähig. Sie haben auch sehr niedrige Gatterkapazitanz (Ciss) - unten zu 2164 Picofarad (Leistungsfaktor) - die sicherstellt, dass Fahrerverluste so niedrig gehalten werden, wie möglich.
Mit einer steuerpflichtigen Durchbruchsspannung von 40 Volt (V), die Firma? s neue NTMFS5C404NLT, NTMFS5C410NLT und NTMFS5C442NLT MOSFETs haben Werte des Maximums RDS (an) (@ Vgs = 10 V) von 0.74 Milliohm (m?), 0.9 m? und 2.8 m? beziehungsweise mit ununterbrochenen Abflussstrom von 352 Amperen (a), 315 A und 127 A beziehungsweise. Diese werden durch die NTMFS5C604NL, die NTMFS5C612NL und die NTMFS5C646NL ergägenzt, die Durchbruchsspannungbewertungen von 60 V. haben. Das Maximum RDS (an) dieser Vorrichtungen ist 1.2 m? , 1.5 m? und 4.7 m? beziehungsweise während ihre verbundenen ununterbrochenen Abflussstrom 287 A sind, 235 A und 93 A. werden die 40 V und 60 v-Vorrichtungen veranschlagen, um bei den Grenzschichttemperaturen bis zum °C 175 zu funktionieren, dadurch gibt man Ingenieuren größere thermische Durchfahrtshöhe für ihre Entwürfe. AUF Halbleiter wird dieses erweitern, das mit Vorrichtungen anbietet, die zusätzliche RDS-(an) Werte und verschiedene Pakete, wie micro8FL, DPAK und TO220 kennzeichnen.
? Technikmannschaften an den Soems bemühen ständig, sich Stromnetzentwürfe zu verursachen, die zum Erreichen der höheren Grade an Leistungsfähigkeit beim weniger Brettraum gleichzeitig aufnehmen fähig sind? besagter Paul Leonard, Vizepräsident und Generaldirektor für AUF Halbleiter? s-Energien-getrennte Produkte. ? Mit diesen neuen Zusätzen zu unserem umfangreichen anbietenden Energie MOSFET, versehen wir Kunden mit Hochleistungs-Vorrichtungen, in den leistungsfähigen Paketen des Vertrages thermisch, die ihnen helfen, um dieses Ziel zu erzielen.?
Verpacken und Preiskalkulation
Alle die NTMFS5C404NL, die NTMFS5C410NL, die NTMFS5C442NL NTMFS5C604NL, NTMFS5C612NL und die NTMFS5C646NL werden im Vertrag, RoHS-Beanstandung SO8FL (DFN-8) Pakete mit der Preiskalkulation angeboten, die mit $0.42 pro Maßeinheit in 10.000 Stückmengen beginnt.
AUF Halbleiter und Halbleiter sind das Firmenzeichen geschützte Warenzeichen der Halbleiter-Bestandteil-Industrien, LLC eingeschaltet. Alle weiteren Marken- und Produktnamen, die in diesem Dokument erscheinen, sind geschützte Warenzeichen oder eingetragene Warenzeichen ihrer jeweiligen Halter. Obgleich die Firma seine Web site in dieser Pressenotiz bezieht, sollen solche Informationen über die Web site nicht hierin verbunden werden.