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Konverter-Ideal mit hoher Dichte für Hochfrequenz-Endverstärker unter Verwendung GaN Transistorss

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Flex Power Modules kündigt das PKB4216HDPI, das späteste Modell in seiner Reihe DC-DC Konvertern anstrebte Anwendungen des Hochfrequenz-Endverstärkers (RFPA) im TelekommunikationsMarktsegment an. Nach der vor kurzem eingeführten Reihe 750W PKJ4000 ist das PKB-D ein Konverter mit hoher Dichte im industriekompatiblen Achtziegelsteinformat mit einem Ertrag von 50V an 5A und ein Eingangsspannungsbereich von 36 zu 60V. Dieses macht es ideal für 50V GaN basierte RFPA und auch Hochspannungs-LDMOS-Anwendungen.

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Das PKB4216HDPI hat einen breiten AusgangsspannungsEinstellbereich 40 – 55VDC, zulassend einfache Optimierung des verbundenen Rf-Abschnitts, wenn die typische Leistungsfähigkeit bei 94,5% emporragt, an 48Vin und an der vollen Last. Umfassender Schutz wird einschließlich Kurzschluss, Überlastung, Übertemperatur, Ertragüberspannung und Inputunterspannung geboten. Start in vor-voreingenommene Lasten wird garantiert, und die Isolierungsbewertung ist 2250VDC von Primär zu Sekundär. Eine Fernan/aus-Steuerung wird mit optionaler positiver oder negativer Logik versehen.

Das Teil ist mit einer Grundplattenwahl für die Leitung verfügbar, die innerhalb der Siegeleinschließungen ohne Luftstrom abkühlt, typisch von RFPA-Anwendungen. Dieses erlaubt Vollmachtsoperation bis bei Temperatur der Grundplatte 85°C und bis zum Ertrag 4A/200W bei der Temperatur der Grundplatte 100°C. Der volle Betriebstemperaturbereich für das Gerät ist -40°C zu +125°C, mit ausgezeichneten herabsetzenden Eigenschaften.

Der Halbbrückeentwurf des PKB4216HDPI kennzeichnet die späteste PWM-Prüfertechnologie mit einer hohen Stufe der Integration für niedrige Teilzählung und hohe Zuverlässigkeit. Synchrone Korrektur trägt zur innovativen Leistungsfähigkeits-Leistung bei, die zu Dichte der hohen Leistung und extrem hohe Zuverlässigkeitszahlen von bis 10,68 Mhrs führt.

„Das PKB4216HDPI ist ein aufregender Zusatz zu unserer Strecke der RFPA-Leistungsverstärker,“ erklärte Olle Hellgren, Kopf des Geschäfts und Produkt-Management bei Flex Power Modules. „Mit in 5G beteiligten sieht und unmittelbar bevorstehenden Soems, das globale Entwurfsgewinne stellen Sie, zusammen mit dem Gebrauch GaN bereit und der neuen Generation LDMOS-Transistoren, das PKB4216HDPI ist ein idealer Sitz als Energiequelle. Das Teil findet auch Anwendungen im Internet von Sachen, bewegliches zurück- und Vorderstrecke und hausinterne drahtlose Kommunikationsinfrastruktur sowie Energie über Anwendungen des Ethernets (PoE).

Das neue PKB4216HDPI-Modul ist von Flex Power Modules entworfen worden und hergestellt worden, um die Qualitätsniveaus und Leistung zu liefern, dass Stromnetzdesigner gekommen sind, für ihre Systemdesigns zu erwarten.

Die PKB4216HDPI-Reihe ist in der Produktion jetzt in Soem-Quantitäten verfügbar.