ROHM erzielt mit hoher Gate-Durchbruchspannung von 8 V technologischen Durchbruch bei 150 V GaN HEMTs

Problemlösung der Gate-Durchbruchspannung von GaN-Bauelementen senkt Stromverbrauch und ermöglicht weitere Miniaturisierung von Stromversorgungen für Basisstationen und Rechenzentren

ROHM hat 150 V GaN HEMTs (Gallium Nitrid High Electron Mobility Tran-sistors) mit einer Gate-Source-Nennspannung von 8 V entwickelt. Die Bauelemente bieten eine optimierte Lösung für Stromversorgungsschaltungen in Industrie- und Kommunikationsanwendungen.

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ROHM Semiconductor Europe

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Logik-Gates / CMOS

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