Zu meinen Favoriten hinzufügen

#Produkttrends

ROHM beginnt mit der Produktion von 150-V-GaN-HEMTs: Mit bahnbrechender 8-V-Gate-Spannungsfestigkeit

ROHM 150-V-GaN-HEMTs der GNE10xxTB-Serie (GNE1040TB) erhöhen die Gate-Stehspannung (Gate-Source-Nennspannung) auf branchenführende 8 V – ideal für die Anwendung in Stromversorgungsschaltungen für Industrieanlagen wie Basisstationen und Rechenzentren

In den letzten Jahren sind – aufgrund der steigenden Nachfrage nach Serversystemen als Reaktion auf die wachsende Zahl von IoT-Geräten – die Verbesserung der Leistungsumwandlungseffizienz und die Reduzierung der Größe zu wichtigen gesellschaftlichen Themen geworden, die weitere Fortschritte im Bereich der Leistungsgeräte erfordern.

Da GaN-Geräte im Allgemeinen höhere Schalteigenschaften und einen niedrigeren Einschaltwiderstand als Siliziumgeräte bieten, wird erwartet, dass sie zu einem geringeren Stromverbrauch verschiedener Stromversorgungen und einer stärkeren Miniaturisierung von Peripheriekomponenten beitragen.

Neben der Massenproduktion von branchenführenden SiC-Bauelementen und funktionsreichen Siliziumbauelementen hat ROHM GaN-Bauelemente entwickelt, die einen überlegenen Hochfrequenzbetrieb im Mittelspannungsbereich erreichen, wodurch wir Leistungslösungen für eine größere Vielfalt von Anwendungen anbieten können.

Diese neuen Produkte verwenden eine originelle Struktur, die die Gate-Source-Nennspannung von den herkömmlichen 6 V auf 8 V erhöht. Dadurch wird eine Verschlechterung verhindert, selbst wenn während des Schaltens Überspannungen von über 6 V auftreten – was zu einem verbesserten Designspielraum und einer höheren Zuverlässigkeit in Stromversorgungsschaltungen beiträgt. Die GNE10xxTB-Serie wird in einem äußerst vielseitigen Paket angeboten, das sich durch hervorragende Wärmeableitung und hohe Strombelastbarkeit auszeichnet und die Handhabung während des Montageprozesses erleichtert.

ROHM hat unter dem Namen EcoGaN™ markenrechtlich geschützte GaN-Bauelemente, die zu größerer Energieeinsparung und Miniaturisierung beitragen, und arbeitet daran, das Angebot um leistungssteigernde Bauelemente zu erweitern. In Zukunft wird ROHM weiterhin Steuerungs-ICs entwickeln, die analoge Stromversorgungstechnologien wie Nano Pulse Control™ und Module, die diese ICs enthalten, zusammen mit Stromversorgungslösungen nutzen, die zu einer nachhaltigen Gesellschaft beitragen, indem sie die Leistung von GaN-Geräten maximieren.

Infos

  • Ukyo Ward, Kyoto, Japan
  • ROHM Semiconductor Europe