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Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik für elektronische Baugruppen

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Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik für elektronische Baugruppen

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Aluminiumnitrid (AlN) ist bekanntlich eine spezielle technische Keramik mit hoher Wärmeleitfähigkeit und niedriger Dielektrizitätskonstante, aber das Einzigartige ist sein niedriger CTE (thermischer Ausdehnungskoeffizient), der dem von Silizium nahe kommt. Diese ungewöhnliche Kombination von Eigenschaften macht AlN zu einem entscheidenden fortschrittlichen Material für viele zukünftige Anwendungen in elektronischen Gehäusen.

Aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit gibt AlN die Wärme von hochwärmeerzeugenden IC-Chips effizient ab. Es kann leicht mit dem Laser in die dünne Dicke und komplexe Geometrien geschnitten werden.

Vorteile

Hohe Wärmeleitfähigkeit: 170-230W/M.K, 5-10 mal höher als bei Aluminiumoxid

Niedrige Dielektrizitätskonstante

Niedriger CTE (Wärmeausdehnungskoeffizient)

Ausgezeichnete elektrische Isolierung

Ungiftig

Hohe Temperaturbeständigkeit: Chemisch stabil bis zu 980°C in H2- und CO2-Atmosphäre und in Luft bis zu 1380°C

Beständigkeit gegen Korrosion und Erosion

Allgemeine Dimension von INNOVACERA

Quadratische Substrate:

Dicke: 0,385 mm, 0,5 mm, 0,635 mm, 1 mm

Länge x Breite (mm): 50,8 x 50,8, 76,2 x 76,2, 101,6 x 101,6, 114,3 x 114,3

Runde Substrate:

Dicke: 1 mm, 1,2 mm, 1,5 mm, 2 mm, 2,5 mm

Durchmesser (mm): OD19 * ID16, OD26 * ID20, OD35 * ID30, OD45 * ID40, OD52 * ID50, D60, D75, D80

Bewerbungen

5G-Kommunikation

LED-Beleuchtung

HBLED

SMD-Verkapselung

Halbleiter

Hochleistungs-Elektronik-Isolatoren

Mikroelektronik & Mikrowellen-Pakete

Kühlkörper & Wärmespreizer

Handhabung und Verarbeitung von Siliziumwafern

Substrate für elektronische Pakete

Chipträger für Sensoren und Detektoren