Zoolied bietet eine Vielzahl von optischen Glaswafern an

Siliziumwafer sind ein unverzichtbares Material für die Herstellung von Halbleitern, die in verschiedenen elektronischen Geräten unseres Lebens zu finden sind.

Der Siliziumwafer muss zu einer spiegelglatten, superflachen Scheibe poliert werden, und alle winzigen Unregelmäßigkeiten auf der Oberfläche des Siliziumwafers sollten so weit wie möglich entfernt werden, damit er das flachste Objekt der Welt wird. Die dünnen Si-Wafer sind sauber, fast frei von Partikeln und anderen Verunreinigungen. Gerade wegen dieser notwendigen Eigenschaften wählt Zoolied Siliziumwafer als bestes Substratmaterial für die Herstellung von Halbleitern.

Die Herstellung von Siliziumscheiben erfolgt in der Regel in folgenden Schritten:

1) Langkristall, der in CZ und FZ unterteilt werden kann, da das geschmolzene polykristalline Material direkt mit dem Quarztiegel in Berührung kommt, so dass die Verunreinigungen im Quarztiegel das geschmolzene polykristalline Material verunreinigen. Die CZ-Methode eignet sich für das Ziehen von Siliziumscheiben mit großem Durchmesser (300 mm), die derzeit das wichtigste Material für Halbleitersiliziumwafer sind. Da die polykristallinen Rohstoffe nicht mit dem Quarztiegel in Berührung kommen, gibt es nur wenige interne Defekte und einen geringen Kohlenstoff- und Sauerstoffgehalt, aber der Preis ist teuer und die Kosten sind hoch. Es eignet sich für Hochleistungsgeräte und einige High-End-Produkte.

2) Beim Schneiden und Ziehen des einkristallinen Siliziumstabs müssen Kopf- und Schwanzmaterial abgeschnitten werden, dann wird er auf den erforderlichen Durchmesser gewalzt und geschliffen, die flache Kante oder V-Nut geschnitten und dann in dünne Siliziumscheiben geschnitten. Gegenwärtig wird in der Regel die Diamantdrahtschneidetechnik verwendet, die eine hohe Effizienz und eine gute Verformung und Krümmung der Siliziumscheibe ermöglicht. Eine kleine Anzahl von speziell geformten Stücken kann mit einem inneren Kreis geschnitten werden.

3) Schleifen: Nach dem Schneiden muss die beschädigte Schicht auf der Schnittfläche durch Schleifen entfernt werden, um die Qualität der Silizium-Wafer-Oberfläche zu gewährleisten, etwa 50um.

4) Korrosion: Durch die Korrosion wird die durch das Schneiden und Schleifen verursachte beschädigte Schicht weiter entfernt, um den nachfolgenden Polierprozess vorzubereiten. Die Korrosion umfasst in der Regel Alkali- und Säurekorrosion. Gegenwärtig wird aufgrund von Umweltfaktoren in den meisten Fällen Alkalikorrosion eingesetzt. Der Korrosionsabtrag kann bis zu 30-40 um betragen, und die Oberflächenrauhigkeit kann auch Mikron erreichen.

5) Polieren: Polieren ist ein wichtiger Prozess für die Silizium-Wafer-Produktion. Beim Polieren wird die Oberflächenqualität des Siliziumwafers durch die CMP-Technologie (chemisch-mechanisches Polieren) weiter verbessert, so dass er den Anforderungen der Chipproduktion gerecht werden kann. Nach dem Polieren beträgt die Oberflächenrauhigkeit normalerweise RA < 5A.

6) Reinigung und Verpackung: Da die Linienbreite der integrierten Schaltkreise immer kleiner wird, werden die Anforderungen an die Verbesserung des Partikelgrößenindexes immer höher. Die Reinigung und Verpackung ist auch ein wichtiger Prozess bei der Herstellung von Siliziumwafern. Die meisten Partikel, die an der Oberfläche des Siliziumwafers haften (> 0,3 um), können durch Megaschallreinigung gereinigt werden, und dann kann die Oberfläche des Siliziumwafers durch Vakuumversiegelung oder Inertgasverpackung mit einer reinigungsfreien Plugbox verpackt werden Die Oberflächenreinheit entspricht den Anforderungen der IC.

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