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#Neues aus der Industrie
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Grundkenntnisse über IGBT
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Statische IGBT-Parameter
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Die statischen Parameter des IGBT beziehen sich hauptsächlich auf die relevanten Parameter, die dem IGBT selbst inhärent sind und nichts mit seinen Arbeitsbedingungen zu tun haben. Nur wenn es keine Probleme mit den statischen Parametern des IGBT gibt, können die dynamischen Parameter (Schaltzeit, Schaltverlust, Rückerholung der Freilaufdiode), der Leistungszyklus und die Zuverlässigkeit des HTRB geprüft werden.
Werfen wir nun einen Blick auf die Bedeutung der Indikatoren dieser zehn Parameter:
1. Kollektor-Emitter-Spannung VCES
Unter der Bedingung eines Gate-Emitter-Kurzschlusses ist die maximale Spannung, die zwischen Kollektor und Emitter verkraftet werden kann
2. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat
Bei der angegebenen Gate-Spannung und dem angegebenen Kollektorstrom ist die Spannung zwischen Kollektor und Emitter
3. Gate-Emitter-Schwellenspannung VGE
Wenn der Gatestrom den angegebenen Wert hat, ist die Gate-Emitter-Spannung
4. Gate-Schwellenspannung VGE (th)
Die Gate-Emitter-Spannung, bei der der Kollektorstrom einen bestimmten niedrigen oder absoluten Wert hat; wird zur Messung der IGBT-Gate-Einschaltschwelle verwendet
5. Kollektor-Emitter-Abschaltstrom ICES
Der Strom, der bei einer bestimmten Kollektor-Emitter-Spannung und einem Gate-Emitter-Kurzschluss durch den Kollektor fließt
6. Gate-Emitter-Leckstrom IGES
Der Strom, der bei einer bestimmten Gate-Emitter-Spannung und einem Kollektor-Emitter-Kurzschluss durch das Gate fließt
7. Gate-Widerstand rg
Gate-Innenserienwiderstand
8. Ausgangskapazität Coes
Parasitäre Kapazität, gemessen zwischen Kollektor und Emitter bei Gate-Emitter-Kurzschluss
9. Eingangskapazität Cies
Parasitäre Kapazität zwischen Gate und Emitter
10. Rückwärtsgerichtete Übertragungskapazität Cres
Kapazität zwischen Kollektoranschluss und Gate-Anschluss
Die Prüfung der statischen Parameter von IGBTs ist zahlreich und kompliziert, und für verschiedene Parameter gibt es unterschiedliche Prüfmethoden.